La bataille technologique serait presque revenue à l’équilibre, mais l’outil industriel reste largement à reconstruire. Intel reconnaît que sa remontée face à TSMC dépendra désormais moins de quelques points de performance que des rendements, des délais et de sa capacité à produire en masse.
Intel 14A mise sur le High NA EUV
Chris Auth, vice-président et directeur général du développement industriel et des relations clients d’Intel, estime que le groupe est mieux placé que TSMC pour exploiter les équipements de lithographie High NA EUV. Lors du podcast Dwarkesh, il a relié cet avantage à l’alimentation électrique par l’arrière du wafer, ou backside power delivery.
Le High NA EUV améliore la résolution d’exposition et permet de travailler sur des pas compris entre 16 nm et 8 nm. Une gravure en un seul passage peut ainsi remplacer certaines étapes de multipatterning et réduire les coûts, à condition que les contraintes d’espacement et les tolérances du circuit le permettent.
En déplaçant le réseau d’alimentation au dos du silicium, Intel libère de la place sur la face avant, réservée aux transistors de calcul et aux interconnexions de données. Les contraintes de pas y deviennent moins sévères, avec une marge d’erreur plus confortable pour l’impression directe en High NA EUV.
Chris Auth affirme que TSMC doit conserver des pas plus serrés en l’absence de backside power et recourir, dans ce cas, au double patterning EUV. Chez Intel, le High NA figure déjà comme option dans le PDK du 14A, son adoption étant discutée individuellement avec chaque client.
Cette déclaration recentre clairement cette combinaison technologique sur le 14A. Des informations antérieures avaient également évoqué l’utilisation de l’alimentation par l’arrière sur le procédé 18A.
Pour situer cette articulation entre 18A et 14A dans la stratégie du fondeur, la feuille de route d’Intel jusqu’au 7A précise les jalons de production envisagés.
Face à TSMC, le véritable écart reste l’échelle
Pushkar Ranade, directeur technique d’Intel, considère pour sa part que le rattrapage technologique est déjà réalisé. Il concède un écart possible de « quelques pourcents » en performances, en consommation ou en densité surfacique, mais juge ces différences sans commune mesure avec le retard d’une génération complète.
Le constat est plus sévère sur les capacités industrielles. TSMC fabrique aujourd’hui beaucoup plus de wafers qu’Intel, et Ranade prévient que le rattrapage en volume sera lent et progressif.
Le calendrier, les rendements et la rapidité des montées en cadence deviennent donc les critères déterminants. Être à quelques pourcents du meilleur procédé compte moins que livrer à temps avec des rendements suffisamment élevés pour absorber des volumes importants. Les informations faisant état d’une accélération du calendrier de production de TSMC renforcent précisément cette pression sur Intel.
L’empilement des transistors ouvre un autre front
Intel s’est aussi exprimé sur l’empilement vertical des transistors de type n et p, présenté comme l’une des prochaines étapes de la miniaturisation. IBM a récemment intégré cette approche à ses projets autour d’un procédé 0,7 nm.
Jack Kavalieros, vice-président chargé de la recherche sur les composants et Intel Fellow, souligne cependant que l’empilement ne résout pas la question des interconnexions. Les liaisons auparavant placées au-dessus, voire en dessous des transistors, doivent alors circuler verticalement entre eux.
La fabrication de tranchées au rapport d’aspect toujours plus élevé, puis leur remplissage, devient particulièrement délicate. Des défauts tels que des cavités ou des poches d’air peuvent apparaître, ce qui transforme l’interconnexion en obstacle aussi critique que l’empilement lui-même.
Le discours d’Intel traduit une évolution stratégique nette : l’entreprise ne présente plus seulement la finesse de gravure comme le juge de paix. Le succès du 14A reposera sur la convergence entre High NA EUV, backside power, rendements et discipline d’exécution. Tant que cette chaîne ne sera pas validée chez des clients externes et à grande échelle, la proximité technique revendiquée avec TSMC restera difficile à convertir en parts de marché.
Source : Wccftech
