Le complexe texan de Samsung n’est pas encore pleinement opérationnel qu’une extension nettement plus imposante se profile déjà. Ce nouveau chantier doit renforcer les capacités américaines du groupe, mais son calendrier restera étroitement lié aux commandes.
Samsung Taylor prépare une Fab 2 pour 2030
Samsung devrait lancer en novembre la construction de sa seconde usine de semi-conducteurs à Taylor, au Texas, pour une production de masse ciblée en 2030. DigiTimes, qui cite le média sud-coréen The Guru, évoque une superficie d’environ 2,7 millions de pieds carrés, soit près de 251 000 m².
Le calendrier aurait également été confirmé lors d’un événement organisé le 15 octobre à proximité du site. Jonathan Taylor, représentant de Samsung Austin Semiconductor, y a indiqué que les travaux commenceraient début novembre et que la Fab 2 serait 1,5 fois plus grande que la Fab 1.
Le procédé de fabrication retenu n’a pas encore été communiqué. En juillet, Samsung reconnaissait toutefois que ses capacités sur les nœuds de pointe ne suffisaient pas à répondre à la demande, tandis que les sollicitations autour de son procédé 1,4 nm continuaient d’augmenter. Ce nœud était pourtant présenté en 2025 comme susceptible d’être abandonné.
La première usine avance enfin vers le 2 nm
La Fab 1 de Taylor, initialement attendue en 2024, a accumulé un retard important. Les équipements installés ont désormais commencé à exécuter des procédés dans le cadre d’une qualification progressive du site.
Cette première unité exploite la lithographie EUV pour le procédé 2 nm de Samsung. Le démarrage des opérations reste prévu avant la fin de 2026, suivi d’une production en volume en 2027.
Tesla au cœur du carnet de commandes
Tesla constitue le client le plus visible du site. Le constructeur a signé avec Samsung un contrat de 16,5 milliards de dollars, soit environ 14,2 milliards d’euros à titre indicatif, courant jusqu’en 2033 et couvrant notamment la puce AI6. Samsung doit également produire au Texas le SoC AI5 de Tesla en 2 nm.
Le choix du site texan pour l’AI5 s’inscrit dans une stratégie déjà détaillée autour de la production de la puce FSD AI5 en 2 nm par Samsung.
La répartition de ces commandes entre les deux fabs reste inconnue. Samsung prévoit d’investir plus de 37 milliards de dollars, environ 31,8 milliards d’euros, dans le centre du Texas, avec un soutien pouvant atteindre 4,745 milliards de dollars, environ 4,08 milliards d’euros, au titre du CHIPS Act.
L’échéance de 2030 paraît cohérente avec l’ampleur du projet, mais le précédent de la Fab 1 invite à la prudence. Samsung peut préparer le terrain dès maintenant, tandis que le rythme réel d’équipement dépendra probablement de la demande en procédés avancés et de la capacité du groupe à sécuriser des contrats comparables à celui de Tesla.
Source : DigiTimes
