Sommaire
Overclocking de la DDR5
On arrive donc à l’exercice le plus complexe à savoir l’overclocking de la mémoire vive ! En effet, overclocker la DDR5 dépend de plusieurs paramètres et nécessite un bon niveau technique et beaucoup de patience !
Actuellement, les puces DDR5 sont disponibles auprès de 3 fabricants : Micron, Hynix et Samsung.
En ce qui concerne les capacités d’overclocking, il semble que Micron soit le pire du lot, puis vient Samsung et le leader dans ce domaine est Hynix .
Étant basé sur des puces Samsung, notre kit Trident Z5 RGB 32 Go (2 x 16 Go) DDR5 6000 MHz CL40 devrait nous permettre un overclocking similaire aux autres kits basés sur des puces Samsung.
Pour ce faire, nous avons testé beaucoup de paramètres avant de trouver un profil stable, qui sera notre profil de référence par la suite pour les tests des puces Samsung.
Notre but n’est pas de chercher un OC stable H24, mais de vous donner une idée sur les capacités d’Overclocking de chaque kit testé.
Sachez que l’Overclocking de la DDR5 dépend de beaucoup de facteurs, tels que l’IMC de votre processeur, la capacité de la carte mère, la capacité des puces, etc..
Nous sommes donc montés à 6400 MHz, avec les timings primaires suivants (Bios Asus ROG) :
DRAM CAS# Latency [32] DRAM RAS# to CAS# Delay [38] DRAM RAS# PRE Time [38] DRAM RAS# ACT Time [55] DRAM Command Rate [Auto]
En ce qui concerne les tensions, nos paramètres sont les suivants (Bios Asus ROG) :
CPU System Agent Voltage Override [1.05000] CPU Input Voltage [1.80000] High DRAM Voltage Mode [Auto] DRAM VDD Voltage [1.43500] DRAM VDDQ Voltage [1.43500] IVR Transmitter VDDQ Voltage [1.50000] Memory Controller Voltage [1.35000]
Notre kit Trident Z5 RGB n’a pas eu de mal dans cette épreuve. Notre profil Samsung 6400 MHz CL32-38-38-55 est bien passé.
Nous enregistrons un joli gain en performances sur tous les fronts, et notamment en matière de latence. En effet, la latence passe de 72.8 ns à 59.8 ns !
Sous Geekbench 3.4, le score memory en multicœurs passe de 10276 à 12762 points !
