Des équipements attendus cette année chez SK hynix auraient finalement été repoussés à 2027. Ce décalage ravive les interrogations sur la mise en production de la prochaine mémoire à haute bande passante, malgré un développement déclaré achevé l’an dernier.
Le calendrier HBM4 se décale jusqu’en 2027
D’après Dealsite, les commandes d’équipements backend destinés à la HBM4 ne seraient plus livrées cette année, mais en 2027. Un report sensible pour SK hynix, alors que cette mémoire doit alimenter la prochaine génération d’accélérateurs dédiés à l’intelligence artificielle.
L’enjeu financier est conséquent. La HBM participe déjà au redressement des activités de fonderie de Samsung, tandis que ce dernier facturerait sa HBM4 environ trois fois plus cher que la HBM3E. Tout retard industriel priverait donc SK hynix de revenus particulièrement rémunérateurs.
Une autre lecture reste toutefois possible. Les prix de la DRAM généraliste ont progressé et ces puces demeurent au cœur des bénéfices de SK hynix. Le groupe pourrait ainsi différer certains investissements HBM afin d’affecter davantage de capacités au marché offrant les meilleurs rendements immédiats.
Le procédé MUF sous pression
Ryu Hyung-geun, analyste chez Daishin Securities, estime que les inquiétudes concernant la qualité sont exagérées et que les difficultés backend restent surmontables. Des sources industrielles anonymes soulignent également que SK hynix conserve une avance dans le packaging mémoire et a déjà fourni des échantillons de HBM4 à 16 couches à des clients majeurs.
Des intervalles plus étroits entre les dies
Les réserves portent surtout sur le Molded Underfill (MUF), procédé qui avait permis à SK hynix de prendre l’avantage sur Samsung et Micron. En mars 2026, ZDNet rapportait que le fabricant rencontrait des difficultés pour injecter ce matériau de remplissage entre les dies DRAM empilés.
La réduction de l’espace séparant les dies, nécessaire pour respecter les normes JEDEC, compliquerait précisément cette étape. Le problème toucherait donc moins la conception de la mémoire que l’assemblage de piles toujours plus denses, où les contraintes thermiques, mécaniques et de rendement deviennent critiques.
Le report des équipements ne suffit pas à établir l’existence d’un blocage industriel. Il place néanmoins SK hynix face à un arbitrage délicat : protéger ses marges sur la DRAM conventionnelle sans laisser Samsung ou Micron réduire leur retard sur un marché HBM devenu stratégique.
Source : Dealsite
