L’Europe veut reprendre la main sur les semi-conducteurs, et une jeune pousse berlinoise arrive avec une promesse très concrète : ramener la recharge des véhicules électriques à 10 minutes. Le timing n’a rien d’anodin, puisqu’elle sécurise ses premiers fonds à peine une semaine après l’adoption du Chips Act 2.0.
Gallium Oxide : NexiGO entre en scène sur les composants de puissance
NexiGO, présenté comme le seul fabricant européen de semi-conducteurs au Gallium Oxide, a levé 2 millions d’euros en tour pre-seed. La société, basée à Berlin, veut se positionner sur les semi-conducteurs de puissance destinés à la prochaine génération de véhicules électriques et, plus largement, à l’électronique de puissance jugée stratégique en Europe.
Le contexte politique compte autant que la technologie. La Commission européenne pousse désormais l’indépendance industrielle avec le Chips Act 2.0, et NexiGO s’inscrit clairement dans cette logique de souveraineté sur des briques critiques.
Le vrai enjeu se joue désormais dans l’industrialisation, comme le montre l’accord entre GlobalFoundries et STMicroelectronics sur la fabrication 300 mm en France, où la maîtrise des volumes et des procédés devient tout aussi décisive que l’innovation matériau.
Une piste technique pour accélérer la recharge et limiter les pertes
La société travaille sur le Ga₂O₃, un matériau à ultra large bande interdite, avec l’objectif de mieux gérer les très fortes tensions exigées par les bornes de recharge. NexiGO affirme viser une recharge en 10 minutes, contre une moyenne actuelle de 60 minutes avec des solutions basées sur le Silicon Carbide ou le Gallium Nitride.
Sur le plan industriel, la production reposerait sur des wafers épitaxiés allant jusqu’à 4 pouces, soit environ un tiers du format 12 pouces utilisé pour les wafers classiques en logique et mémoire. L’idée est visiblement de rester sur une échelle adaptée aux besoins domestiques en transmission électrique, plutôt que de viser d’emblée les volumes du semi-conducteur grand public.
Des gains annoncés face au carbure de silicium
Le Gallium Oxide afficherait une bande interdite d’environ 4,8 eV, un niveau qui permet de réduire les pertes énergétiques lors du transport de puissance. NexiGO avance aussi des chiffres ambitieux face au carbure de silicium : une solution 10 fois plus efficace énergétiquement, capable d’encaisser une densité de tension jusqu’à 6 fois plus élevée, pour un coût de production annoncé à un quart du prix.
Les débouchés visés dépassent largement la voiture électrique. La startup cite les bornes de recharge, les onduleurs pour les énergies renouvelables, les data centers IA et les systèmes de suivi de missiles comme marchés prioritaires.
Si les performances et les coûts annoncés se confirment à l’échelle industrielle, le Ga₂O₃ pourrait devenir un levier sérieux dans l’électronique de puissance européenne. La vraie difficulté sera moins dans la promesse matériau que dans la montée en production, la fiabilité long terme et la capacité à s’imposer face à des filières SiC et GaN déjà bien engagées.
Source : TechPowerUp
