La soif de mémoire des accélérateurs d’IA pourrait pousser le premier fondeur mondial hors de son périmètre habituel. Son plus gros client lui demanderait désormais d’en fabriquer, plutôt que de laisser cette production aux spécialistes du secteur.
D’après The Information, qui cite des sources proches du dossier, TSMC étudierait une entrée dans la fabrication de DRAM 3D à la demande de NVIDIA. Le projet resterait à l’étude, avec plusieurs options industrielles envisagées pour lancer cette activité.
TSMC face aux limites de l’offre des trois grands producteurs
SK Hynix, Samsung et Micron doivent accroître leur production de DRAM pour répondre aux besoins du marché. De nouvelles capacités sont en développement, mais leur mise en service pourrait ne pas suffire à résorber le déséquilibre entre l’offre et la demande. La démarche prêtée à NVIDIA s’inscrit dans cette recherche de volumes supplémentaires.
Les trois fabricants produisent aujourd’hui la DRAM conventionnelle et préparent une évolution vers la DRAM 3D, au-delà de ce que propose actuellement la HBM. L’enjeu ne se limite donc pas à ajouter des lignes de production : il s’agit aussi de poursuivre la montée en densité de la mémoire par une architecture tridimensionnelle.
Micron a récemment illustré cette orientation en renonçant à commercialiser la DRAM à cellules 4F². L’entreprise revendique pourtant l’invention de cette conception et lui a consacré environ deux décennies de recherche. Elle privilégie désormais la DRAM 3D, une voie que TSMC examinerait à son tour en s’appuyant sur son expérience de la fabrication de silicium.
Une usine neuve ou un site existant à convertir
Le pilotage de ces projets reviendrait à Hsu Kuo-chin, actuellement vice-président de TSMC chargé de technologies de packaging avancé telles que CoWoS et CoPoS. Son expérience de l’empilement 3D du silicium constituerait un atout pour préparer une éventuelle production de masse de cette mémoire.
Deux pistes seraient examinées : construire de nouvelles usines dédiées à cette mémoire avancée, ou acquérir un site existant pour le convertir à la production de DRAM. Cette seconde option permettrait de raccourcir le délai de mise sur le marché, alors que la construction d’une fab prend plusieurs années.
Le choix du site pèserait donc directement sur la portée du projet. Une usine neuve inscrirait cette diversification dans un calendrier long ; une reconversion viserait une arrivée plus rapide. Dans les deux cas, cette capacité supplémentaire ne constituerait pas une réponse immédiate aux tensions actuelles sur la mémoire.
Source : The Information
