La bataille de l’IA se joue aussi dans le béton, l’eau et l’électricité. En débloquant 54,3 billions de wons pour deux nouveaux sites, SK hynix montre que le vrai nerf de la guerre n’est plus seulement la technologie mémoire, mais la capacité à livrer en volume au bon moment.
SK hynix muscle sa base industrielle pour la demande mémoire IA
Le groupe sud-coréen a validé en conseil d’administration un investissement total d’environ 54,3 billions de wons, réparti entre 35,2 billions de wons pour la fab Yongin Y2 et 19,1 billions de wons pour la fab Cheongju M17. Cette décision s’inscrit dans la stratégie d’investissement à moyen et long terme présentée en juin dernier.
SK hynix poursuit en parallèle son plan directeur de 600 billions de wons dans le cluster semi-conducteur de Yongin et de 100 billions de wons pour l’extension de sa base de production à Cheongju. Le site Y1, première usine de Yongin, est déjà en construction, et ce nouveau feu vert lance la phase suivante sur les deux implantations.
D’après Omdia, la demande en DRAM comme en NAND devrait afficher un taux de croissance annuel composé de 19 % entre l’an dernier et 2030. SK hynix considère que cette dynamique ne relève pas d’un simple supercycle, mais d’un basculement structurel où la mémoire devient une infrastructure clé des performances en IA.
Les chiffres de demande suffisent rarement à raconter toute l’histoire, et c’est justement le terrain opérationnel qui montre jusqu’où peut aller l’appétit du marché, comme l’explique le trimestre record de SK hynix dopé par l’IA.
Yongin Y2 pour la DRAM, Cheongju M17 pour la NAND
Deux calendriers déjà verrouillés
Yongin Y2 sera la deuxième des quatre fabs prévues dans le Yongin Semiconductor Cluster. Le site sera dédié à la DRAM sur une surface totale de 341 000 pyeong, soit environ 1 130 000 m². Le début des travaux est programmé pour juillet 2027, avec une première cleanroom attendue en juin 2029 pour produire de la HBM et d’autres DRAM de nouvelle génération.
En parallèle, Y1 avance conformément au calendrier, avec une ouverture de sa première cleanroom visée en février prochain. SK hynix avait auparavant annoncé vouloir avancer de 12 ans l’achèvement complet du cluster de Yongin, en passant de 2045 à 2033 pour terminer les quatre fabs. Y2 constitue la deuxième étape de cette accélération, avec un investissement étalé jusqu’en octobre 2031.
Le montant engagé pour Y2 couvre aussi un bâtiment de support aux activités avec fonctions administratives et sociales, un centre R&D intégré destiné aux tests, analyses et expérimentations de développement produit, ainsi que les infrastructures annexes. Sur le cluster de Yongin, qui s’étend sur environ 1,26 million de pyeong, soit près de 4 160 000 m² à Wonsam-myeon dans le district de Cheoin-gu à Yongin, les infrastructures électriques et hydrauliques de phase 1 nécessaires jusqu’à l’exploitation de Y2 sont réalisées à 99 %.
Pour la NAND, SK hynix mise sur Cheongju, où la demande explose surtout autour des SSD entreprise portés par l’expansion des services IA. Le groupe cite aussi la montée des besoins liés au KV cache storage dans l’inférence IA, avec un champ d’application appelé à s’élargir encore avec l’Agentic AI et la Physical AI.
Cheongju a été retenu pour sa rapidité de mise en œuvre. Le campus accueille déjà les fabs M11, M12 et M15, ce qui permet de s’appuyer sur des opérations existantes ainsi que sur une alimentation en eau et en électricité déjà largement en place. La future fab M17 couvrira 206 000 pyeong, soit environ 680 000 m², avec un démarrage des travaux en février 2027 et une première cleanroom attendue en décembre 2028. La période d’investissement court jusqu’en avril 2031.
Le groupe précise qu’il veut sécuriser en avance ses infrastructures de production sur la base de discussions de demande à moyen et long terme avec ses clients, tout en n’activant les extensions de cleanroom et l’installation des équipements qu’en fonction du rythme réel des besoins. En clair, les bâtiments suivront le calendrier directeur, mais le remplissage industriel restera séquencé pour préserver l’efficacité du capital engagé.
Ce choix dit beaucoup de l’état du marché. Dans la mémoire IA, l’avantage ne repose plus uniquement sur la densité, la bande passante ou le packaging avancé, mais sur la certitude de pouvoir livrer HBM, DRAM et NAND à grande échelle lorsque les hyperscalers et les intégrateurs en ont besoin. C’est précisément sur ce terrain que se joue désormais une part de la hiérarchie mondiale.
Source : TechPowerUp
