
Le marché de la mémoire traverse habituellement un début d’année plus calme. Cette fois, SK hynix a fait exactement l’inverse, avec un trimestre historique dopé par l’IA, la HBM et les SSD d’entreprise.
Le groupe coréen a bouclé son premier trimestre avec 52,5763 billions de wons de chiffre d’affaires, 37,6103 billions de wons de bénéfice opérationnel et 40,3459 billions de wons de bénéfice net. Les marges suivent la même trajectoire, à 72 % en opérationnel et 77 % en net.
SK hynix dépasse les 50 billions de wons sur un trimestre
Le cap des 50 billions de wons est franchi pour la première fois sur une base trimestrielle. Le bénéfice opérationnel atteint lui aussi un plus haut historique à 37,6 billions de wons, avec une rentabilité presque doublée par rapport au trimestre précédent.

Le point notable, c’est que cette performance intervient dans un trimestre généralement affecté par la saisonnalité. SK hynix l’explique par la poursuite des investissements dans les infrastructures IA et par la montée en puissance des produits à forte valeur ajoutée, notamment la HBM, les modules serveur DRAM de grande capacité et les eSSD.
Une situation financière encore renforcée
La génération de cash suit la même logique. À la fin du trimestre, la trésorerie et les équivalents de trésorerie atteignent 54,3 billions de wons, soit 19,4 billions de plus que sur le trimestre précédent.

Dans le même temps, la dette portant intérêt recule à 19,3 billions de wons, en baisse de 2,9 billions séquentiellement. Le groupe affiche ainsi une position nette de trésorerie de 35 billions de wons.
HBM, LPDDR6 et NAND : la feuille de route s’accélère
SK hynix estime que l’évolution de l’IA, du grand entraînement de modèles vers une phase plus large d’agentic AI reposant sur de l’inférence temps réel dans des environnements de service variés, élargit la base de demande mémoire à la fois en DRAM et en NAND flash. Le groupe anticipe aussi que les progrès sur l’efficacité mémoire amélioreront l’économie des services IA, ce qui devrait mécaniquement étendre leur échelle et soutenir les prix sur les deux segments.
Sur la HBM, l’objectif affiché est clair : renforcer encore les performances, le rendement, la qualité et la stabilité d’approvisionnement. En DRAM, le constructeur prévoit de monter pleinement en cadence sur la LPDDR6 gravée en 1cnm, soit la sixième génération de la classe 10 nm, présentée ici comme une première mondiale, ainsi que sur la SOCAMM2 de 192 GB fondée sur le même procédé et entrée en production de masse ce mois-ci.

Côté NAND, SK hynix veut répondre plus souplement à la demande IA avec le cSSD QLC 321 couches “PQC21” basé sur CTF, mais aussi avec une gamme d’eSSD TLC hautes performances et QLC haute capacité. Le groupe compte également s’appuyer sur les synergies avec Solidigm, particulièrement bien positionné sur les eSSD QLC de grande capacité, pour renforcer sa présence dans les data centers IA et sur le stockage des AI PC.
Capex en hausse et capacité de production sous tension
Le groupe souligne que, dans un contexte où la demande client dépasse les capacités disponibles, la stabilité de l’approvisionnement devient un avantage concurrentiel central. C’est dans cette logique que les investissements de l’année doivent progresser nettement par rapport à l’an dernier.
Les priorités mentionnées sont la montée en charge du site M15X, la préparation des infrastructures du cluster de Yongin et la sécurisation d’équipements clés, dont les machines EUV. SK hynix indique vouloir combiner expansion industrielle, discipline financière et production alignée sur la demande pour répondre à la croissance structurelle de l’ère IA.









Au-delà de la performance trimestrielle, ces résultats confirment surtout un basculement industriel : la mémoire n’est plus seulement un composant cyclique, elle redevient un levier stratégique au cœur de l’infrastructure IA. Pour SK hynix, l’enjeu est désormais moins de prouver la demande que de tenir le rythme sur les volumes, les rendements et les livraisons face à un marché qui absorbe toujours plus de DRAM avancée et de NAND orientée datacenter.
Source : TechPowerUp