Une usine encore en construction aurait déjà presque rempli son carnet de commandes. Le fondeur coréen tiendrait ainsi un débouché majeur pour son procédé 2 nm, grâce aux besoins en mémoire des accélérateurs.
D’après des sources proches du dossier citées par le Maeil Business Newspaper, AMD mobiliserait pratiquement toute la capacité de production allouée à Taylor Fab 2, au Texas, pour des dies logiques de base destinés aux prochaines générations de HBM. Les besoins initiaux laisseraient même très peu de marge au futur site. L’information reste au stade de la rumeur : Wccftech, qui relaie le quotidien coréen, lui attribue une plausibilité de 50 %, avec une faible corroboration.
Samsung Foundry préparerait une production en 2 nm pour 2030
Le schéma industriel rapporté répartirait la fabrication entre les États-Unis et la Corée du Sud. Samsung graverait les dies de base logiques au Texas, puis les assemblerait avec les puces DRAM issues de ses usines sud-coréennes, afin de fournir des ensembles HBM complets.
Taylor Fab 2 couvrirait 2,7 millions de pieds carrés, soit environ 251 000 m², et serait 1,5 fois plus grande que la première usine de Taylor. La préparation du terrain serait achevée, tandis que la construction des structures principales démarrerait immédiatement.
Samsung viserait l’installation des équipements dès février 2029, avant une production commerciale en volume en 2030 sur son procédé 2 nm. Cet engagement d’AMD apporterait une charge industrielle importante à la branche fonderie, après les volumes automobiles déjà obtenus auprès de Tesla pour le premier site de Taylor.
NVIDIA privilégierait une autre organisation pour sa NVHBM
Cette commande ne préjugerait toutefois pas d’un accord comparable avec NVIDIA. D’après un précédent rapport, le concepteur de GPU aurait fortement incité ses partenaires mémoire, Samsung, SK hynix et Micron, à confier à TSMC l’ensemble de la fabrication des dies de base personnalisés NVHBM.
L’objectif serait de conserver une architecture de contrôleur mémoire commune, en limitant les écarts de latence, de comportement thermique et de performances liés au recours à plusieurs fondeurs. Cette uniformisation réduirait aussi les étapes de validation nécessaires lorsque les échantillons proviennent de différents fabricants de DRAM.
Samsung poursuivrait néanmoins les essais et la qualification de ses propres procédés de fonderie pour démontrer sa capacité à produire ces dies NVHBM. Un autre rapport cité par Wccftech indique que la réorientation vers les dies de base HBM aurait également libéré des ressources en 2 nm pour d’autres développements, dont un modem Exynos 5G de nouvelle génération et de futurs projets avec AMD.
Pour Samsung, l’intérêt industriel dépasserait la seule vente de wafers : fournir à la fois le die logique et la DRAM lui permettrait de capter davantage de valeur dans chaque assemblage HBM. Le calendrier reste toutefois lointain. Une production visée en 2030 ferait de Taylor 2 un investissement pour les générations suivantes, plutôt qu’une réponse immédiate aux besoins actuels en mémoire.
Source : Maeil Business Newspaper
