Le seuil est symbolique, mais il dit beaucoup de l’état réel d’une technologie que toute l’industrie observe encore à distance. Avec 1 million de wafers 300 mm déjà traités, Intel transforme un outil présenté comme expérimental en levier industriel concret.
High-NA EUV sort du simple cadre du 14A
Intel a confirmé avoir officiellement traité 1 million de wafers de silicium de 300 mm avec de la lithographie High-NA EUV. La firme avait installé en 2024 les systèmes ASML TWINSCAN EXE:5000 pour la recherche et les essais autour du nœud 14A, mais leur usage a depuis dépassé ce cadre initial.
Le point le plus intéressant est ailleurs : Intel utilise désormais ces outils aussi sur le nœud 18A, alors que le High-NA était jusque-là perçu comme réservé au 14A. Sur une partie limitée des SKU Panther Lake, quelques couches de silicium sont gravées avec une exposition High-NA, au lieu de reposer uniquement sur du Low-NA.
Intel précise également proposer cette capacité à des clients externes, estimant que cette configuration peut aussi leur être utile. En parallèle, avec ASML, le fondeur a terminé les tests d’acceptation de la plateforme destinée au 14A afin d’améliorer les volumes de sortie en wafers.
ASML EXE:5200B, coûts massifs et avance solitaire
Cette montée en cadence s’appuie sur le TWINSCAN EXE:5200B, deuxième génération de scanners High-NA EUV d’ASML, qui succède au TWINSCAN EXE:5000 utilisé lors des premiers essais 14A. Intel avait déjà indiqué avoir traité plus de 30 000 wafers sur un seul trimestre, avec à la clé une simplification notable : une couche spécifique est passée d’environ 40 étapes à moins de 10, ce qui réduit fortement les temps de cycle.
À ce stade, Intel reste le seul acteur à fabriquer activement du silicium avec cette lithographie. TSMC affirme pouvoir rester compétitif en continuant à exploiter le Low-NA EUV et en améliorant ses nœuds génération après génération, tandis que Samsung Foundry repousserait l’introduction du High-NA EUV à 2030 pour son nœud 1 nm.
Le facteur économique pèse lourd dans ce calendrier. Les outils Low-NA coûtent environ deux fois moins cher que les systèmes High-NA les plus avancés, et une machine High-NA EUV de dernière génération chez ASML tourne autour de 400 millions de dollars, soit environ 370 millions d’euros à titre indicatif.
Ce cap ne garantit pas à lui seul un avantage durable face à TSMC, mais il montre qu’Intel ne traite plus le High-NA comme une vitrine technologique. Si l’usage sur 18A et certains Panther Lake se confirme à plus grande échelle, l’enjeu ne sera plus seulement la finesse de gravure, mais la capacité à convertir ce choix en rendement, en coûts maîtrisés et en volumes réellement compétitifs.
Source : Intel
