Les besoins des accélérateurs d’IA mettent déjà la chaîne d’approvisionnement mémoire sous tension. Samsung préparerait désormais un changement d’échelle majeur pour sa HBM4, avec des volumes susceptibles de bondir de 150 % en 2027.
La production de HBM4 Samsung changerait d’échelle en 2027
La presse coréenne rapporte une forte hausse attendue des commandes de supports en verre utilisés durant la fabrication de la mémoire HBM. Les achats de Samsung passeraient de 20 000 unités par mois en 2026 à 50 000 en 2027, soit une multiplication par 2,5.
La montée en puissance aurait déjà commencé. Le groupe n’utilisait que 10 000 supports par mois en 2025, ce qui signifie que le niveau prévu pour 2026 représente lui-même un doublement en un an.
Ces composants maintiennent les wafers de DRAM pendant leur préparation à l’assemblage HBM. Ils sont généralement réutilisés au fil du processus industriel, mais leur volume d’approvisionnement constitue un indicateur indirect des capacités visées. La production globale de HBM de Samsung progresserait encore de 40 % en 2028.
NVIDIA Vera Rubin au cœur de la demande
La HBM4 doit notamment équiper les prochains GPU d’IA NVIDIA de la génération Vera Rubin. Samsung aurait déjà transmis des échantillons à NVIDIA afin de vérifier leur conformité aux exigences techniques de ces accélérateurs haut de gamme.
Cette nouvelle génération exige aussi une évolution du die de base, placé sous l’empilement de puces DRAM constituant le module HBM. Samsung lui réserverait une part importante de ses capacités de fonderie, avec une fabrication en 4 nm, un procédé habituellement associé aux puces logiques comme les CPU et GPU.
L’ampleur de cette allocation en 4 nm avait déjà été évoquée, Samsung pouvant réserver une part majeure de ses lignes aux dies de base HBM4 gravés en 4 nm.
Le 2 nm envisagé pour les futurs dies de base
Samsung chercherait à exploiter plus largement son activité de fonderie pour renforcer sa position face aux autres fabricants de mémoire. Le groupe étudierait ainsi le passage des dies de base HBM à son procédé de gravure avancé en 2 nm et aurait déjà identifié des lignes susceptibles d’assurer cette production.
Cette stratégie rapproche davantage la HBM des contraintes de fabrication des semi-conducteurs logiques. Elle permettrait à Samsung de différencier ses modules par leur interface et leur efficacité, mais accroîtrait aussi la concurrence interne pour des capacités de gravure avancées déjà sollicitées par d’autres produits.
Le bond prévu des supports en verre ne garantit pas à lui seul les volumes finaux, qui dépendront des rendements, de la qualification chez NVIDIA et de la disponibilité des dies. Il confirme néanmoins l’ampleur des moyens engagés alors que la pénurie mondiale de mémoire à large bande reste alimentée par l’expansion rapide des centres de données dédiés à l’IA.
Source : Wccftech
