La montée en gamme de la mémoire IA passe aussi par la Chine, et CXMT vient de franchir une étape que l’industrie surveillait de près. Le groupe démarre la production à risque de HBM3E, avec encore deux générations de retard sur les acteurs sud-coréens, mais un rythme d’exécution qui commence à peser.
CXMT enclenche la HBM3E
D’après The Information, CXMT a commencé la production à risque de mémoire HBM3E. Les volumes seraient pour l’instant très faibles, ce qui correspond au démarrage industriel classique avant une montée en cadence plus large.
Le point important, c’est le positionnement technologique. Les fabricants chinois de mémoire resteraient aujourd’hui à deux générations des groupes sud-coréens, qui avancent progressivement vers la production de HBM4E.
Sur le plan des spécifications, aucun détail propre à CXMT n’a filtré. En revanche, la norme JEDEC pour la HBM3E impose une interface de 1 024 bits, avec des débits allant de 9,2 Gb/s à 12,4 Gb/s par pin, la plupart des configurations standard visant 9,6 Gb/s par pin.
La bande passante totale tourne autour de 1,2 To/s. Les capacités visées vont jusqu’à 24 Go en empilement 8-Hi, ou 36 Go en 12-Hi avec des couches de 24 Gb.
Capacité DRAM : une montée en puissance très rapide
CXMT viserait environ 350 000 wafers DRAM par mois d’ici la fin de l’année. Le groupe prévoit ensuite d’augmenter encore cette capacité dans les années à venir.
Des fabs déjà bien en place
Le constructeur exploite plusieurs sites, dont deux fabs 12 pouces, à Hefei et à Pékin, avec une production d’environ 100 000 wafers par mois chacune. Cela place sa capacité actuelle autour de 200 000 wafers mensuels.
À terme, l’objectif serait de tripler ce volume pour atteindre 600 000 wafers par mois lorsque les sites de Shanghai et Hefei seront terminés et pleinement opérationnels. The Information souligne aussi un autre point : CXMT construirait ses salles blanches en 12 mois, contre environ deux ans chez la plupart des concurrents.
La part exacte allouée à la HBM reste inconnue. C’est un sujet central, car cette mémoire empilée consomme plusieurs dies DRAM par stack, ce qui peut limiter l’effet d’une hausse de capacité sur l’offre de DRAM plus classique si la demande IA continue d’absorber l’essentiel des volumes.
Le vrai sujet n’est pas seulement l’arrivée de CXMT en HBM3E, mais la vitesse à laquelle l’entreprise convertit ses phases de risque en production de masse. Si ce schéma se confirme encore ici, la Chine ne rattrapera pas immédiatement SK hynix, Samsung ou Micron sur le haut de gamme HBM, mais elle pourrait rapidement devenir un acteur industriel impossible à ignorer sur les volumes DRAM dédiés à l’IA.
Source : The Information
