Le verrou TSMC sur un composant stratégique de la mémoire HBM pourrait se desserrer. Pour Intel, l’enjeu dépasse un simple contrat : il s’agit de s’imposer dans la chaîne de valeur des accélérateurs IA là où chaque mm² compte.
Intel Foundry entre dans l’équation de la HBM4E
SK hynix envisagerait de confier à Intel Foundry une partie de la fabrication des dies de base de sa mémoire HBM4E, d’après le Herald coréen. Le groupe étudierait un schéma de double approvisionnement au lieu de dépendre uniquement de TSMC, qui était jusqu’ici le seul nom considéré pour cette brique précise.
La HBM4E doit permettre l’intégration d’une logique personnalisée sur ce die de base, avec les puces DRAM empilées au-dessus. Concrètement, des clients pourraient y placer directement des contrôleurs mémoire et des PHY, ce qui réduirait la surface occupée sur le chiplet de calcul principal.
Dans ce scénario, SK hynix transmettrait le design à Intel, qui produirait ensuite les dies de base avant leur retour chez le fabricant coréen pour l’empilement de la DRAM. Le gain attendu est clair : plus de place pour les unités de calcul sur la tuile principale d’un accélérateur IA, moins de latence et des performances en hausse.
Quel nœud pour les futurs dies de base ?
La question centrale reste celle du procédé de gravure. Jusqu’à la HBM3E, SK hynix fabriquait ses dies de base sur ses propres nœuds de classe 10 nm, mais cette option ne semble plus suffisante face aux exigences actuelles des clients.
Des options allant d’Intel 10 à Intel 18A
Pour la HBM4 actuelle, SK hynix s’appuie sur le 12 nm de TSMC pour ces dies de base. La HBM4E demanderait un niveau plus avancé, avec plusieurs candidats possibles côté Intel : Intel 10, Intel 4, Intel 3, ainsi qu’Intel 18A et ses variantes.
Sur le plan économique, un nœud plus ancien comme Intel 3 ou Intel 4 paraît néanmoins plus crédible. Entre la complexité de la chaîne d’approvisionnement et le coût déjà très élevé de la HBM, pousser ce composant sur le procédé le plus agressif n’aurait pas forcément de sens.
EMIB-T renforce la cohérence industrielle
Le contexte donne aussi du poids à cette piste. Lors de Hot Chips 2026, SK hynix avait déjà indiqué avoir validé ses designs avec l’EMIB-T d’Intel. Des TSV doivent permettre une alimentation verticale à travers plusieurs puces empilées, en ligne avec la stratégie de distribution d’énergie verticale de SK hynix pour les modules mémoire 3D au niveau du packaging.
Si ce partenariat se concrétise, Intel ne récupérerait pas seulement un volume de production supplémentaire. Il mettrait aussi un pied dans une zone critique du marché IA, à l’intersection entre mémoire avancée, packaging 3D et intégration système, là où se joue désormais une partie de l’avantage compétitif des futurs accélérateurs.
Source : Herald
