Les deux champions chinois de la mémoire s’apprêtent à empiéter sur leurs marchés respectifs. Cette convergence pourrait déclencher une bataille industrielle où les brevets, les talents et l’accès aux équipements compteront autant que les capacités de production.
CXMT et YMTC changent de terrain
Jusqu’ici, la répartition était claire : ChangXin Memory Technologies (CXMT) se concentrait sur la DRAM, tandis que Yangtze Memory Technologies Corp. (YMTC) développait de la mémoire NAND. D’après DigiTimes, chacune prépare désormais son entrée sur le marché de l’autre.
La hausse des prix des mémoires et les tensions d’approvisionnement liées à la demande en intelligence artificielle renforcent l’intérêt de cette diversification. CXMT, déjà très présente auprès de l’industrie chinoise, aurait également suscité l’intérêt d’Apple pour l’approvisionnement de produits destinés au marché local.
YMTC viserait la LPDDR5 dès la fin 2026
YMTC préparerait une première production expérimentale de DRAM dans le cadre de son projet Phase 3, avec un démarrage attendu à la fin de l’année 2026. Cette étape doit permettre de régler les équipements et de corriger les éventuels problèmes avant une montée en volume.
L’entreprise se concentrerait initialement sur la LPDDR5, avec une capacité d’environ 25 000 wafers par mois. Son arrivée rapide pourrait placer CXMT sous pression, notamment sur le terrain de la propriété intellectuelle, identifié comme l’un des principaux points de friction entre les deux groupes.
La NAND de CXMT reste un projet plus lointain
CXMT recruterait de son côté d’anciens salariés de YMTC afin de constituer les compétences nécessaires à son incursion dans la NAND. Le fabricant envisagerait d’implanter à Pékin des installations consacrées à la recherche et à la production.
Cette stratégie prolonge les ambitions de CXMT sur le marché NAND, un mouvement susceptible de rebattre les cartes face aux acteurs chinois et internationaux de la mémoire flash.
Le calendrier demeure toutefois incertain. Les premières lignes pourraient entrer en service en 2028 ou 2029, soit nettement après les essais DRAM prévus chez YMTC.
Les sanctions américaines constituent un obstacle supplémentaire. CXMT devra notamment trouver des solutions pour maîtriser l’empilement de couches propre à la 3D NAND, dans un contexte où l’accès à certains équipements et savoir-faire reste contraint.
Cette diversification croisée dépasse une simple extension de catalogue. Elle traduit la volonté de bâtir en Chine deux fournisseurs couvrant à la fois DRAM et NAND, mais elle risque aussi de disperser les investissements et d’intensifier les conflits de brevets. Pour CXMT, le retard annoncé dans la NAND rendra l’exécution industrielle et le contournement des restrictions technologiques déterminants.
Source : Wccftech
