Le premier fabricant chinois de DRAM veut désormais jouer sur deux tableaux. En visant aussi la mémoire flash, CXMT ouvre un nouveau front face à Samsung, mais aussi face à YMTC, l’autre grand nom local du secteur.
CXMT NAND : une offensive encore au stade préparatoire
D’après des informations de Reuters appuyées par des sources proches du dossier, CXMT prépare une ligne de production R&D dédiée à la NAND dans sa nouvelle usine de Pékin. Le groupe a aussi mis en place un institut de recherche dans la capitale, où le développement NAND ferait partie des projets en cours.
À ce stade, plusieurs inconnues demeurent. Ni la date de mise en service de cette ligne R&D, ni un éventuel passage vers la production pilote puis la fabrication de masse ne sont connus.
L’un des interlocuteurs cités par Reuters affirme toutefois que CXMT a déjà évoqué ses plans avec des clients. Parmi eux figure une jeune pousse récemment créée, intéressée par ces puces pour des solutions de stockage destinées à l’IA et aux supercalculateurs.
Une concurrence désormais plus directe avec YMTC et Samsung
CXMT et YMTC sont souvent présentés comme les « twin stars » de l’industrie mémoire chinoise, avec jusqu’ici des positions assez distinctes. Le premier dominait la DRAM, tandis que le second s’était imposé dans la NAND au point d’atteindre la troisième place mondiale en volumes expédiés.
Cette séparation semble pourtant s’effacer. Reuters rapportait déjà en avril que YMTC avait envoyé à des clients des échantillons de DRAM basse consommation, pendant que CXMT se prépare maintenant à entrer sur le terrain de la flash.
Les deux groupes restent derrière les grands acteurs étrangers, mais le contexte de pénurie leur redonne de la marge. En juillet, CXMT facturait même, selon plusieurs informations de marché, plus cher que Samsung sur des modules serveur DDR5 de 64 Go, portés par une demande en forte hausse.
Sur la NAND, TrendForce n’anticipe d’ailleurs un vrai relâchement des tensions d’approvisionnement qu’au second semestre de l’an prochain. Une seule ligne R&D ne changera pas à elle seule l’équation mondiale, mais elle confirme une tendance lourde : les fabricants chinois cherchent de plus en plus à couvrir l’ensemble de la chaîne mémoire, de la DRAM à la flash, avec en toile de fond les besoins explosifs de l’IA et du calcul haute performance.
Source : Reuters
