Dans l’ère de l’intelligence artificielle (IA), la compétition entre les deux grands fabricants de mémoire Samsung et SK Hynix ne cesse de s’intensifier. Les deux entreprises s’efforcent d’accélérer le développement et la production de masse de nouveaux produits afin de prendre une longueur d’avance sur le marché et de dominer le secteur des semi-conducteurs IA de nouvelle génération. Avec l’entrée d’Intel dans la course, la bataille mondiale des semi-conducteurs s’élargit.
Selon Business Korea, Samsung et SK Hynix ont récemment annoncé leurs plans pour la prochaine génération de semi-conducteurs. La question clé est de savoir qui sera capable de mettre en premier les nouveaux produits sur le marché. L’année dernière, SK Hynix avait presque monopolisé les commandes de HBM3 de Nvidia en prenant de l’avance sur cette technologie, inversant rapidement la tendance pendant une période difficile pour le marché des mémoires.
Samsung et SK Hynix se disputent la pole position
En janvier de cette année, SK Hynix a commencé la production de masse de sa 5ème génération de produits HBM, le HBM3E à 8 couches, ce qui lui confère une position avantageuse dans la compétition. Samsung prévoit quant à lui de lancer le HBM3E à 8 couches dans la première moitié de l’année. Cependant, Samsung a pris l’avantage sur le HBM3E à 12 couches, annonçant en premier sa réussite de développement en février et prévoyant une production de masse plus tard dans l’année pour commencer à fournir Nvidia. SK Hynix vient juste de livrer des échantillons de son HBM3E à 12 couches à Nvidia, accusant un léger retard par rapport à Samsung.
Pour la 6ème génération de produits HBM, à savoir le HBM4, la concurrence entre Samsung et SK Hynix est encore plus féroce. Samsung prévoit de dévoiler le HBM4 l’année prochaine et de lancer la production de masse en 2026, avec des produits à 8, 12 et 16 couches. SK Hynix prévoit également une production de masse du HBM4 en 2026 et collabore avec TSMC pour tirer parti des technologies avancées du plus grand fondeur au monde. Bien sûr, Samsung a aussi ses atouts, étant la seule entreprise de semi-conducteurs à posséder un processus complet de production, de fonderie et d’emballage, capable de fournir des solutions HBM personnalisables aux clients.
La bataille s’étend à la DRAM
La compétition entre Samsung et SK Hynix s’étend également au domaine de la DRAM. Samsung a récemment lancé la LPDDR5X à 10,7 Gbps, dépassant la LPDDR5T à 9,6 Gbps de SK Hynix. Samsung prévoit également de produire en masse la DRAM de 6ème génération de classe 10 nm fin 2024 et la 7ème génération courant 2025.
SK Hynix compte quant à lui produire la DRAM de 6ème génération de classe 10 nm au 3ème trimestre 2024, un peu plus tôt que Samsung. L’année dernière, SK Hynix a profité d’un procédé plus avancé et d’une validation plus rapide de la nouvelle plateforme d’Intel pour générer des revenus substantiels avec ses nouvelles mémoires DDR5.
L’IA stimule l’innovation
De plus, avec l’expansion des applications d’intelligence artificielle, l’ajout de capacités de calcul aux mémoires est l’une des orientations futures. Samsung et SK Hynix ont tous deux déjà présenté des produits dans ce domaine.
La course effrénée à l’innovation entre les géants Samsung et SK Hynix promet de nous apporter des avancées rapides et spectaculaires dans les semi-conducteurs pour l’IA dans les années à venir. Qui prendra le leadership sur ce marché stratégique en plein essor? Réponse dans les prochains épisodes de cette bataille technologique au sommet.
