La course à la densité NAND continue de s’accélérer, et Sandisk vient de franchir un cap important avec sa dixième génération maison. Au programme, un die TLC de 1 Tb, 332 couches et une nette hausse de débit comme d’efficacité énergétique.
BiCS10 pousse plus loin la densité de la NAND 3D
Sandisk a annoncé l’entrée en phase de sampling de sa mémoire flash BiCS10 1 Tb TLC, sa technologie NAND 3D de 10e génération. Cette nouvelle puce revendique une densité mémoire de plus de 29 Gb/mm², avec un gain de 59 % sur la densité en bits par rapport à la génération précédente citée par le constructeur.
La BiCS10 repose sur l’architecture Bit-Cost Scalable (BiCS) et sur la technologie CMOS directly Bonded to Array (CBA). Le principe reste celui déjà employé par Sandisk : fabriquer la logique CMOS et la matrice mémoire sur des wafers séparés, puis les assembler via un bonding wafer-to-wafer à alignement de haute précision.
Cette génération passe à 332 couches et mise sur des techniques avancées de mise à l’échelle latérale. Sandisk parle aussi d’une optimisation du floor plan, avec à la clé une meilleure efficacité surfacique pour augmenter encore la capacité par puce.
Débits en hausse, consommation en baisse
Sur l’interface, Sandisk annonce jusqu’à 4,8 Gb/s, soit une progression de 33 % par rapport à sa flash 3D de 8e génération, la BiCS8, actuellement en production de masse. La puce prend en charge Toggle DDR6.0, le protocole SCA et la technologie PI-LTT pour concilier haut débit et fonctionnement basse consommation.
À mesure que les débits montent, la question n’est plus seulement celle du die lui-même, mais aussi de la façon dont l’écosystème stockage absorbe cette nouvelle marge de performance, comme le montre l’impact de l’IA sur les SSD serveur et la NAND.
Le volet énergétique progresse lui aussi. Sandisk évoque une réduction de la consommation de 10 % en entrée et de 34 % en sortie face à la BiCS8, avec une amélioration ciblée de l’efficacité des opérations d’entrée/sortie de données.
Une brique pensée pour les charges IA et les systèmes flash à grande échelle
Le groupe positionne clairement cette BiCS10 sur les futurs besoins en charges de travail intensives en données et en IA. Au-delà de la seule mémoire NAND, Sandisk rappelle aussi sa maîtrise sur l’ensemble de la chaîne, du design à l’assemblage final, en passant par les contrôleurs, le firmware, le packaging et la fabrication.
À ce stade, il s’agit bien d’un échantillonnage et non d’une commercialisation de masse. Mais avec 1 Tb par die, 332 couches et 4,8 Gb/s, cette BiCS10 donne déjà une indication assez claire de la direction prise par le marché : davantage de capacité par puce, une bande passante plus élevée et un coût par bit qui doit continuer de baisser pour alimenter SSD, stockage hyperscale et infrastructures IA.
Source : TechPowerUp
