La bascule s’accélère chez SK hynix, au point de redessiner sa hiérarchie technologique en quelques trimestres. D’ici au début 2027, le nœud 1c devrait dépasser le 1b et devenir la base principale de sa production DRAM.
SK hynix fait monter en puissance la 1c DRAM
Le fabricant sud-coréen transfère une part croissante de ses capacités vers son nœud DRAM 1c, sa sixième génération en classe 10 nm. Cette technologie représentait 10 % de sa production au premier trimestre 2026, puis environ 13 % au deuxième trimestre.
Au troisième trimestre en cours, SK hynix devrait fabriquer 24 % de sa DRAM sur ce nœud. Au quatrième trimestre, la part dépasserait le tiers avec 34 %, avant d’atteindre environ 35 % au premier trimestre 2027.
À ce moment-là, le 1c passerait devant le nœud 1b, aujourd’hui dominant, qui reviendrait à 33 %. Le 1c deviendrait ainsi le nœud de production principal de SK hynix.
Ce que recouvrent réellement les nœuds DRAM
Comme souvent en mémoire, les appellations de nœuds ne se lisent pas comme dans la logique. Les fabricants de DRAM restent dans des variantes de la classe 10 nm, en progressant via davantage de couches EUV et des raffinements d’architecture.
Chez SK hynix, le nœud 1b actuellement majoritaire correspond à une géométrie réelle d’environ 12 à 13 nm, avec près de 4 couches de patterning EUV. Le 1c descend à 11 à 12 nm et mobilise 5 à 6 couches EUV.
HBM4E, LPDDR6 et DDR5 dans le viseur
SK hynix prévoit d’utiliser le 1c pour produire de la HBM4E, de la LPDDR6 et de la DDR5. Le 1b, plus ancien, reste mobilisé pour la DDR5, la LPDDR5X, la HBM3E et la HBM4.
Une avance visée face à Samsung et Micron
Dans l’industrie, Samsung exploite actuellement le nœud 1c sur 16 % de sa production, contre 13 % pour SK hynix au deuxième trimestre. Micron se situe à 19 %.
Le point clé est ailleurs : la transition de capacité opérée par SK hynix est plus rapide. L’entreprise devrait ainsi dépasser ses deux grands rivaux dès le quatrième trimestre sur la part de production assurée par le 1c.
La suite sera plus complexe pour toute l’industrie. À mesure que le scaling DRAM atteint les limites physiques du layout planaire standard en 6F², les prochaines étapes passent par des transistors à grille verticale en 4F² et, à plus long terme, par des empilements 3D DRAM. Dans cet intervalle, le 1c est appelé à rester un nœud central chez SK hynix pendant plusieurs années.
Source : Chosun
