Samsung : production en masse de la DDR5 EUV

Samsung Electronics, a annoncé aujourd’hui qu’il avait commencé la production en masse de la plus petite DRAM de l’industrie. Elle est basée sur la technologie de l’ultraviolet extrême (EUV) en 14 nanomètres (nm). La première DRAM EUV du secteur date de mars de l’année dernière. Samsung a porté le nombre de couches EUV à cinq. Et propose le processus DRAM le plus fin et le plus avancé du moment pour ses solutions DDR5.

Nous avons dominé le marché de la DRAM pendant près de trois décennies. En étant à l’origine d’innovations technologiques clés en matière de patterning. Aujourd’hui, Samsung pose un nouveau jalon technologique avec l’EUV multicouche. Il a permis une miniaturisation extrême à 14 nm. Un exploit impossible à réaliser avec le procédé conventionnel au fluorure d’argon (ArF). En nous appuyant sur cette avancée, nous continuerons à fournir les solutions de mémoire les plus différenciées. Tout en répondant pleinement au besoin de performances et de capacités accrues dans le monde axé sur les données de la 5G, de l’IA et du métavers.

Jooyoung Lee, vice-président senior et responsable des produits et technologies DRAM chez Samsung Electronics

Meilleure productivité et moins d’énergie consommée

Alors que la production DRAM se situe dans la gamme des 10 nm. La technologie EUV devient de plus en plus importante. Le but est d’améliorer la précision de la mise en forme pour des performances et des rendements plus élevés. Avec cinq couches EUV à sa DRAM 14 nm, Samsung atteint la plus haute densité de bits. Avec en plus, une amélioration de la productivité globale d’environ 20 %. En outre, le processus 14 nm permet une réduction de la consommation d’énergie de près de 20 % contre le DDR4.

Tirant parti de la toute dernière norme DDR5, la DRAM 14 nm de Samsung permettra de débloquer des vitesses sans précédent. Samsung parle d’aller jusqu’à 7,2 Gbps, soit plus du double de la vitesse de la DDR4 (jusqu’à 3,2 Gbps).

Samsung prévoit d’élargir sa gamme de produits DDR5 en 14 nm pour prendre en charge les applications des centres de données, des superordinateurs et des serveurs d’entreprise. L’entreprise prévoit également d’augmenter la densité de ses puces DRAM 14 nm à 24 Go afin de mieux répondre aux demandes de données en croissance rapide des systèmes informatiques mondiaux.

Source : Samsung

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