La mémoire destinée aux accélérateurs d’IA absorbe une part croissante des capacités industrielles de Samsung. Le groupe préparerait une montée en cadence brutale, jusqu’à mobiliser une fraction majeure de sa production en 4 nm.
Samsung HBM4 viserait 50 000 wafers mensuels
D’après SE Daily, Samsung augmente ses commandes de matériaux afin de renforcer sa production de mémoire à large bande passante. La capacité consacrée aux HBM4 et HBM4E passerait d’environ 20 000 wafers par mois en 2026 à 50 000 en 2027.
Cette estimation repose sur les commandes de supports en verre, utilisés temporairement pour stabiliser les wafers de DRAM amincis avant leur mise en boîtier. L’empilement de nombreuses puces très fines augmente les risques de déformation ou de casse. Chaque wafer nécessitant un support, leur volume offre un indicateur assez direct des cadences envisagées.
Toutes générations confondues, notamment les HBM3 et HBM3E, la production de Samsung atteindrait actuellement une moyenne de 180 000 wafers par mois. Elle devrait progresser à environ 250 000 wafers mensuels l’année prochaine, dont 80 % seraient consacrés aux HBM4 et HBM4E.
Le nœud SF4 mobilisé pour les dies de base
Samsung a lancé en février la production de masse de sa HBM4 sur son procédé 1c, la sixième génération de sa gravure DRAM de classe 10 nm. Les premiers échantillons clients de HBM4E sont attendus d’ici le milieu de l’année 2026.
Les prochaines extensions de capacité cibleront principalement ces deux générations, les concepteurs d’accélérateurs d’IA recherchant davantage de densité et de bande passante. Samsung aurait également réservé la moitié de la capacité de son nœud 4 nm SF4 à la fabrication des dies de base de la HBM4.
Une part de marché doublée en un an
Cette accélération industrielle accompagne une nette progression commerciale. La part de Samsung sur le marché de la HBM serait passée d’environ 15 % au deuxième trimestre 2025 à 33 % au deuxième trimestre 2026, soit plus du double en un an.
Le défi ne se limite toutefois pas au volume. La HBM4 combine empilement DRAM avancé, rendement de fabrication et production de dies logiques sur des procédés coûteux. En affectant autant de capacité SF4 à ces composants, Samsung fait un arbitrage industriel lourd, mais susceptible de réduire l’écart avec ses concurrents si les qualifications clients suivent le calendrier annoncé.
Source : SE Daily
