La chaîne mémoire entre dans une autre dimension industrielle. Portés par l’appétit de l’IA pour la HBM, la DDR5 et le stockage, les investissements sur wafers 300 mm doivent franchir pour la première fois le cap des 50 milliards de dollars en 2026.
La mémoire 300 mm change d’échelle en 2026
SEMI anticipe une hausse de 29 % des investissements mondiaux en équipements de fabrication 300 mm dans le segment mémoire, à 52 milliards de dollars en 2026, soit environ 48,4 milliards d’euros à titre indicatif. En 2027, la progression se poursuivrait avec +11 %, pour atteindre 57 milliards de dollars, soit environ 53,1 milliards d’euros.
Sur un horizon plus large, l’organisation table sur un taux de croissance annuel moyen de 19 % entre 2024 et 2029. La tendance est clairement reliée à la montée en puissance des infrastructures IA, des data centers et des systèmes de calcul de nouvelle génération.
Les capacités mondiales de production mémoire sur 300 mm progresseraient elles aussi, à 4,1 millions de wafers par mois en 2026, puis 4,2 millions en 2027. Cette hausse reste toutefois partiellement freinée par la migration technologique et par la complexité croissante des procédés.
DRAM et 3D NAND tirées par la demande IA
Dans l’édition 2Q26 du 300 mm Fab Outlook, SEMI relève sa projection de dépenses, en lien avec la poursuite des plans de capex chez les grands fournisseurs de services cloud et avec la forte demande en accélérateurs IA. La DRAM concentrerait 37 milliards de dollars d’équipements en 2026, en hausse de 29 %.
Ce segment est soutenu par la demande en HBM et en DDR5 pour les GPU et autres accélérateurs dédiés à l’IA. De son côté, la 3D NAND progresserait de 28 % à 14 milliards de dollars en 2026, portée par l’augmentation des besoins de stockage associés au déploiement de l’IA.
Les tensions sur la NAND et la DRAM gagnent aussi en lisibilité côté fabricants, comme le montre les résultats de Micron portés par la HBM4.
Des capacités en hausse, mais des transitions plus lourdes
SEMI a également revu à la hausse ses perspectives de capacité, grâce aux investissements dans la DRAM avancée et dans la 3D NAND à nombre de couches plus élevé. En pratique, la croissance effective reste modérée par les transitions vers la DRAM de nœuds avancés, la HBM et les générations NAND plus complexes à produire.
Ajit Manocha, président et CEO de SEMI, estime que la forte demande pour la HBM et les autres mémoires avancées redéfinit les priorités d’investissement de toute la chaîne semiconducteur. L’expansion des infrastructures IA pousse ainsi les fabricants à accélérer à la fois sur les volumes et sur les migrations technologiques.
Un suivi mondial de 413 sites et lignes
Le SEMI 300 mm Fab Outlook recense désormais 413 installations et lignes dans le monde. Depuis sa précédente publication de mars 2026, le rapport intègre 155 mises à jour et l’ajout de 7 nouveaux projets de fabs ou de lignes.
Le signal est net pour toute l’industrie PC et serveur : la mémoire est redevenue un centre de gravité stratégique. Tant que l’IA continuera d’absorber des GPU, des accélérateurs et du stockage à ce rythme, la pression sur la DRAM avancée et la NAND haut de gamme restera un moteur direct des dépenses d’équipement.
Source : TechPowerUp
