14,4 Gbps par pin en LPDDR6 tombe chez SK hynix, juste avant l’ISSCC 2026. Samsung suit à 12,8 Gbps avec un gain énergétique annoncé de 21 % face à la LPDDR5X.
LPDDR6 : vitesses, nœuds et état de l’art
SK hynix présentera des modules LPDDR6 de 16 Gb cadencés à 14,4 Gbps par pin, gravés en nœud 1c (1γ), soit la 6e génération 10 nm DRAM du fondeur. Ces puces opèrent aux plus hauts paliers JEDEC pour la LPDDR6. Des variantes LPDDR6X overclockées sont évoquées en perspective.
Samsung mettra à jour sa LPDDR6 16 Gb à 12,8 Gbps, en hausse nette par rapport aux 10,7 Gbps montrés au CES 2026. La fabrication se ferait en 12 nm, un nœud plus large que le 10 nm de SK hynix, mais avec une efficacité énergétique revendiquée en hausse de 21 % par rapport à la LPDDR5X.
Sécurité, ECC et efficacité : les nouveautés clés
La LPDDR6 introduit un suivi intégré du nombre d’activations de rangées directement dans la DRAM, une première pour un standard mémoire. Objectif : contrer les attaques row hammer via un comptage conjoint contrôleur-puce, au-delà des seules stratégies de rafraîchissement des générations précédentes.
La norme embarque des métadonnées directement dans les paquets de données, éliminant des broches dédiées et permettant une correction d’erreurs bout-en-bout : correction 1 bit et détection multi-bits en on-die et sur le lien. Côté signalisation, Samsung mise sur du NRZ avec sous-canal 12DQ, un schéma que SK hynix devrait également suivre.
Sur l’énergie, la LPDDR6 prend en charge un DVFS étendu sur trois rails, contre deux en LPDDR5, et des modes d’efficacité capables de doubler la densité tout en abaissant la consommation I/O. Les deux industriels présenteront ces avancées à l’ISSCC 2026 à San Francisco, du 15 au 19 février.
Si SK hynix tutoie déjà les limites JEDEC avec 14,4 Gbps en 1γ, l’écart de nœud et la marge d’optimisation chez Samsung laissent entrevoir une montée en régime rapide. La combinaison anti-row hammer native et ECC de lien change la donne pour les mobiles haut de gamme et l’IA embarquée, où la qualité de service mémoire devient critique.
Source : TechPowerUp
