Obtenir 2,3 fois plus de puces par tranche tout en réutilisant des équipements existants : le gain potentiel est considérable pour l’électronique de conversion électrique. La démonstration vient désormais du terrain industriel, même si la fabrication en grande série reste à planifier.
Infineon Technologies AG (FSE : IFX / OTCQX : IFNNY) a obtenu des composants de puissance fonctionnels à partir de wafers en carbure de silicium de 300 mm dans son usine de Villach, en Autriche. Le groupe revendique une première mondiale dans un environnement de fabrication de semi-conducteurs à échelle industrielle, en s’appuyant sur des équipements déjà utilisés pour le silicium.
SiC 300 mm : des composants fonctionnels, pas encore une production de masse
Le changement de diamètre constitue le principal levier économique : un wafer de 300 mm permet d’obtenir 2,3 fois plus de puces qu’un wafer de 200 mm. Infineon présente cette étape comme la démonstration du potentiel d’une future industrialisation à grande échelle, avec l’objectif de renforcer son offre de composants SiC et de sécuriser les approvisionnements à long terme.
Le calendrier reste toutefois ouvert. Infineon définira la technologie et la montée en cadence du 300 mm avec ses clients et partenaires, tout en poursuivant sa feuille de route de fabrication SiC sur 200 mm. Les deux formats s’inscrivent donc, à ce stade, dans des horizons industriels distincts.
Jochen Hanebeck, directeur général d’Infineon Technologies, souligne le passage « du laboratoire à un environnement de fabrication ». Il rapproche cette avancée des travaux du groupe sur les wafers de 300 mm en silicium et en nitrure de gallium, trois filières sur lesquelles Infineon entend accroître ses capacités de production et soutenir une croissance rentable.
Le SiC sert à limiter les pertes de conversion, à augmenter la densité de puissance et à fonctionner efficacement sous des tensions et températures élevées. Infineon vise notamment l’automobile, les énergies renouvelables et l’industrie avec son portefeuille CoolSiC : onduleurs de traction, chargeurs embarqués, bornes de recharge pour véhicules électriques, stockage d’énergie à grande échelle et entraînements industriels.
Les alimentations sans interruption font également partie des débouchés. Dans les centres de données dédiés à l’IA, où la demande progresse, le groupe identifie de nouveaux usages pour le SiC dans les transformateurs statiques, les disjoncteurs et les blocs d’alimentation.
À Dresde, Cold Split s’attaque aux pertes de matière
En parallèle, Infineon a validé sur son site de Dresde, en Allemagne, la faisabilité de sa technologie Cold Split sur du SiC de 300 mm. Le procédé sépare les wafers du lingot cristallin avec moins de pertes de matière et un temps de traitement nettement réduit par rapport à la découpe conventionnelle au fil.
L’intérêt est d’extraire davantage de tranches d’un même cristal, avec des investissements en équipements moindres. Associée au changement de diamètre, cette approche doit permettre au groupe d’adapter ses capacités SiC à la demande de ses clients.
Cette avancée prolonge une stratégie déjà engagée sur un autre matériau à large bande interdite. Le 27 octobre 2026, Infineon a annoncé un investissement d’environ 1,1 milliard d’euros dans une installation de production à grand volume de semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN), sur wafers de 300 mm, à Villach. Le SiC devient ainsi le deuxième matériau à large bande interdite auquel le groupe applique cette approche.
L’enjeu économique se joue donc sur deux fronts : davantage de puces par tranche et davantage de tranches par cristal. Ces gains ne donnent toutefois pas, à eux seuls, le coût final d’un composant : les rendements de fabrication et la cadence industrielle seront déterminants. La poursuite du 200 mm reste, dans l’intervalle, le socle concret de la montée en capacité.
Source : TechPowerUp
