La machine la plus chère et la plus attendue du moment ne rejoindra pas tout de suite les lignes de Samsung. Le fondeur sud-coréen compte encore exploiter au maximum l’EUV actuelle, et réserve la High-NA EUV à son futur nœud 1 nm prévu pour 2030.
Samsung garde la High-NA EUV pour 2030
Samsung Foundry continue de faire évoluer ses outils de production, mais n’a toujours pas acté l’intégration des systèmes High-NA EUV d’ASML dans ses procédés avancés. D’après ZDNet Korea, ce cap ne serait franchi qu’avec le développement du nœud 1 nm, attendu en 2030.
À ce rythme, Samsung ferait partie des derniers grands acteurs à introduire cette génération de lithographie sur des nœuds de pointe. Intel monte progressivement son 14A vers une production à risque avec des outils High-NA EUV, tandis que TSMC viserait une adoption en 2029.
La Low-NA EUV reste rentable et suffisante
Ce calendrier n’implique pas forcément un retard subi. Samsung obtient encore des résultats jugés satisfaisants avec les machines Low-NA EUV actuelles, un choix qui rejoint la position de TSMC, lequel estime pouvoir conserver un avantage compétitif en poursuivant la réduction de ses nœuds et les optimisations génération après génération sans passer immédiatement à la High-NA.
L’argument économique pèse lourd. Les outils Low-NA coûtent environ deux fois moins cher que les systèmes High-NA les plus avancés. La machine High-NA EUV la plus sophistiquée d’ASML est affichée autour de 400 millions de dollars, soit environ 365 à 370 millions d’euros à titre indicatif, un investissement colossal même pour une fab moderne.
Le multi-patterning prolonge la durée de vie des outils actuels
Dans sa forme actuelle, la lithographie Low-NA EUV s’appuie sur le multi-patterning. Concrètement, la machine effectue plusieurs passes pour graver un motif sur une même couche. Avec deux expositions Low-NA, les fondeurs peuvent obtenir des gains proches de ceux d’une exposition High-NA, ce qui réduit l’urgence de basculer vers une nouvelle génération d’équipements.
Cette approche a toutefois ses limites, qui devraient devenir plus visibles à 1 nm et en dessous. C’est précisément à cet horizon que Samsung prévoit d’activer la High-NA EUV, une chronologie qui reste cohérente sur le plan technique comme sur le plan industriel.
Pour le marché, ce choix confirme surtout que la course aux nœuds ne se joue plus uniquement sur l’accès aux machines les plus récentes. Entre coût d’entrée, rendement et complexité des procédés, repousser la High-NA peut aussi être une manière de préserver les marges et de limiter le risque industriel tant que la Low-NA reste exploitable à haut niveau.
Source : TechPowerUp
