Le paysage mondial de la mémoire évolue plus vite que prévu. En l’espace de quelques années, CXMT s’est hissé à un niveau de production qui la place quasiment à hauteur de Micron, pourtant installé depuis des décennies parmi les poids lourds de la DRAM.
CXMT vise une capacité industrielle proche de Micron
D’après une analyse de Citrini Research appuyée sur ses propres données, CXMT devrait produire environ 350 000 wafers DRAM par mois d’ici la fin 2026, à condition que les projets en cours soient livrés dans les temps. En face, Micron est estimé à 375 000 wafers par mois à la même échéance, là aussi sous réserve que ses extensions de capacité se concrétisent comme prévu.
L’écart reste donc limité entre un acteur historique du trio de tête mondial et un fabricant beaucoup plus récent, d’abord conçu pour répondre aux besoins domestiques chinois. Le rythme de montée en puissance de CXMT ressort d’autant plus nettement que l’entreprise évolue sous contraintes technologiques et géopolitiques.
Des cleanrooms montées en 12 mois malgré le verrouillage sur l’EUV
Le point le plus marquant du rapport concerne la vitesse de construction des cleanrooms, les espaces où la production de silicium est réellement opérée. CXMT les mettrait en place en environ 12 mois, quand le reste de l’industrie DRAM tourne plutôt autour de 21 à 24 mois.
Le contraste est d’autant plus fort que l’entreprise ne peut pas accéder aux scanners EUV modernes. Les sanctions américaines et l’inscription sur liste noire empêchent CXMT de s’équiper sur ce segment, ce qui la pousse à s’appuyer sur des outils de lithographie DUV plus anciens et sur des techniques de multi-patterning pour compenser l’absence d’EUV.
Reste à voir comment cette montée en puissance se traduit déjà chez les clients, alors que certains assembleurs testent une alternative CXMT face aux pénuries pour sécuriser leurs approvisionnements.
DDR5, 24 Gb et LPDDR5X déjà en production
Plus tôt cette année, CXMT a commencé à expédier des puces DDR5 de 16 Gb à 8 000 MT/s. Elles mesurent 67 mm², avec une densité de 0,239 Gb par millimètre carré. Les cellules DRAM G4 sont annoncées 20 % plus petites que celles de la génération G3, après une progression passée par les nœuds 23 nm pour la G1 puis 18 nm pour la G2.
La production de modules 24 Gb serait désormais lancée à grande échelle, avec des débits un peu plus modestes, autour de 6 000 MT/s. CXMT fabrique aussi des modules LPDDR5X-10667 en volume, en capacités 12 Gb et 16 Gb, avec une demande largement tirée par le secteur de l’IA.
Pékin pousse la diffusion de la propriété intellectuelle DRAM
Le rapport indique enfin que le gouvernement chinois pousse CXMT à transférer une partie de sa propriété intellectuelle DRAM vers d’autres fabricants locaux, notamment JHICC, Swaysure et XMC, une filiale de YMTC. L’objectif affiché est de réduire les tensions d’approvisionnement sur le marché intérieur avant une diffusion plus large des puces DRAM conçues par CAMT vers d’autres régions, dont l’Union européenne et possiblement les États-Unis.
Si cette trajectoire se confirme, la question ne sera plus seulement celle du retard technologique chinois face aux leaders établis, mais celle de la résilience industrielle. Atteindre un niveau de volume proche de Micron avec du DUV et du multi-patterning montre qu’en mémoire, la capacité de production peut devenir un levier stratégique presque aussi déterminant que l’accès au nœud le plus avancé.
Source : TechPowerUp
