Sept ans de silence, et voilà que Samsung ressort de ses cartons une technologie que beaucoup pensaient enterrée : le Z-NAND. Présenté en 2018 comme l’arme anti-Intel Optane (3D XPoint), ce type de mémoire flash haute performance pourrait bientôt revenir, et pas pour faire de la figuration.
Lors d’une conférence dédiée à la mémoire et au stockage, le géant coréen a annoncé des ambitions pour le moins musclées : jusqu’à 15 fois plus rapide que la NAND classique et 80 % de consommation en moins.
Samsung Z-NAND : Pensée pour l’IA et la latence minimale
Cette nouvelle génération de Z-NAND ne vise pas seulement les débits bruts. Selon le vice-président exécutif de la division stockage de Samsung Semiconductor, l’optimisation pour les applications d’intelligence artificielle est au cœur du projet, avec une chasse acharnée aux microsecondes de latence.
Parmi les nouveautés envisagées, on trouve une technologie baptisée GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS). En clair, elle permettrait aux GPU d’accéder directement aux données stockées, un peu comme le DirectStorage de Microsoft, mais sauce Samsung.
Un héritage déjà solide
Pour mémoire, le Z-NAND première génération reposait sur de la SLC NAND optimisée, avec des pages réduites à 2–4 Ko pour accélérer lecture et écriture.
ésultat : des vitesses 6 à 10 fois supérieures aux SSD standards. Si les promesses actuelles se confirment, on pourrait franchir un nouveau cap et voir les SSD NVMe actuels relégués au rang de “moyenne gamme”.
Pas encore de date, mais de gros enjeux
Reste un détail : Samsung n’a donné aucun calendrier précis ni informations sur la production. L’annonce ressemble donc davantage à un teaser qu’à un lancement imminent. Mais si le Z-NAND nouvelle génération tient ses promesses, il pourrait bien redéfinir ce qu’on appelle aujourd’hui un SSD hautes performances.
