La course aux procédés de gravure les plus avancés se joue aussi sur le calendrier, et Samsung vient justement d’ajuster le sien. Le 1,4 nm glisse à 2029, un décalage qui dit autant sur les priorités industrielles du groupe que sur l’état réel de sa feuille de route.
Samsung 1,4 nm : un calendrier revu d’un an
D’après des informations relayées par le média sud-coréen The Bell, Samsung prévoit désormais de lancer la production de masse de son nœud 1,4 nm en 2029. L’objectif initial était fixé à 2028, mais il aurait été repoussé en raison de l’extension des capacités de production autour du 2 nm SF2 et de son dérivé SF2P.
Ce repositionnement replace Samsung dans un tempo assez proche de celui du reste de l’industrie. Intel prévoit un démarrage en risk production de son 14A en 2028, avant une production en volume en 2029. TSMC garde pour l’instant une courte avance, avec une production de masse de son A14 attendue en 2028.
Le calendrier de Samsung prend d’autant plus de relief qu’il s’inscrit dans une course désormais très serrée entre fondeurs, comme le montre aussi l’ambition de Rapidus sur le 1,4 nm en 2029.
En clair, la fin de décennie devrait voir s’intensifier la concurrence sur les nœuds les plus avancés, avec des alternatives un peu plus crédibles face à TSMC pour les clients du marché foundry.
Le pari du High-NA EUV pour préparer la suite
Samsung explorerait aussi l’usage de la lithographie High-NA EUV pour ce nœud 1,4 nm. Ce serait une première transition vers ces outils après les générations en Low-NA EUV sur un nouveau procédé de fabrication.
Le groupe travaille déjà avec plusieurs fournisseurs domestiques, mais aussi avec des équipementiers internationaux comme Applied Materials et Lam Research, afin d’équiper son hub de R&D NRD-K dédié aux semi-conducteurs.
Sept machines ASML attendues d’ici fin 2027
Des informations précédentes indiquaient qu’ASML devrait livrer environ sept unités High-NA EUV à Samsung d’ici fin 2027. De quoi renforcer nettement la capacité de sortie de Samsung Foundry sur le futur 1,4 nm.
Chaque outil High-NA EUV pourrait traiter entre 175 et 200 wafers par heure. Sur le papier, cela ouvrirait la voie à une capacité mensuelle dépassant 100 000 wafers, à condition de faire tourner les fabs à pleine charge 24 heures sur 24, un scénario peu probable en pratique.
Le signal reste néanmoins clair : Samsung privilégie d’abord la montée en puissance du SF2 et de ses variantes, tout en préparant l’infrastructure du 1,4 nm. Pour ses clients, cela signifie que les prochaines années reposeront surtout sur le SF2, avant un vrai changement de génération à l’approche de 2030.
Source : TechPowerUp
