Le QLC grimpe sur l’UFS 4.1 et bouscule les mobiles haut de gamme. Résultat attendu : plus de capacité sans sacrifier les débits clés.
QLC UFS 4.1 Kioxia, cap sur la densité
KIOXIA lance l’échantillonnage de mémoires UFS 4.1 en QLC (4 bits/cellule), adossées à la BiCS FLASH 3D génération 8. Ciblage assumé : usages majoritairement lecture et besoins de forte capacité.
Par rapport à la précédente génération QLC UFS 4.0/BiCS6, Kioxia annonce +25 % en séquentiel écriture, +90 % en lecture aléatoire et +95 % en écriture aléatoire. Le Write Amplification Factor progresse jusqu’à 3,5× (WriteBooster désactivé).
Les puces adoptent un package JEDEC plus compact, passant de 11×13 mm à 9×13 mm. Capacités prévues : 512 GB et 1 TB, avec contrôleur intégré et prise en charge de WriteBooster pour accélérer les écritures.
BiCS FLASH Gen8 et CBA, architecture au service du mobile
La BiCS Gen8 introduit le CBA (CMOS directly Bonded to Array), approche d’intégration qui soutient la densité QLC et les mécanismes de correction d’erreurs afin de garder des performances compétitives.
Outre smartphones et tablettes, Kioxia vise des segments annexes : PC, réseau, AR/VR, IoT, et appareils dopés à l’IA. Compatibilité assurée avec UFS 4.1, et rétrocompatibilité UFS 4.0 et 3.1.
Spécifications et périmètre
Conformité UFS 4.1, QLC 4 bits/cellule, contrôleur intégré, WriteBooster, package 9×13 mm, échantillons en 512 GB et 1 TB. Optimisé pour charges lecture et montée en capacité dans des formats compacts.
La bascule vers le QLC en UFS 4.1 laisse entrevoir des mobiles 1 TB plus accessibles et des PC/AR légers mieux lotis en stockage. Reste l’enjeu classique du QLC : endurances maîtrisées par firmware, ECC et gestion fine du WriteBooster, un terrain où le CBA et les générations de contrôleurs feront la différence.
Source : TechPowerUp
