Avec sa G9 NAND, Micron signe une refonte complète de son architecture flash 3D. Cette 9e génération n’est pas une simple évolution : c’est une brique pensée pour soutenir la croissance explosive des workloads IA, du cloud distribué et du traitement embarqué. Elle se décline en versions TLC et QLC, et se retrouve au cœur de SSD clients comme professionnels.
Architecture interne : une NAND six plans, 276 couches et 2 Tb par die
Le cœur de la G9 NAND, c’est son die en 3D, empilé sur 276 couches, une finesse qui permet d’atteindre des densités record. Chaque die est organisé en six plans indépendants, contre quatre ou deux dans les générations précédentes.
Pourquoi six plans ?
Cela permet d’exécuter plusieurs opérations de lecture/écriture en parallèle, réduisant la latence et augmentant les débits IOPS, même sur des architectures QLC traditionnellement lentes.
Caractéristiques principales :
- Technologie 3D NAND à 276 couches
- Taille de die jusqu’à 2 terabits en version QLC
- Débit I/O maximal : 3,6 Go/s par die (TLC ou QLC)
- Architecture : 6 planes parallèles pour une bande passante optimisée
- Interface : ONFI 5.0 / Toggle 5.0
TLC vs QLC : deux versions, deux stratégies
G9 TLC : performances et endurance
La version TLC est pensée pour les environnements exigeants : datacenters, IA, stockage transactionnel.
Elle conserve un bon compromis entre vitesse, longévité (P/E cycles élevés) et efficacité énergétique. C’est elle qu’on retrouve dans les SSD haut de gamme comme le Micron 9650 Gen6 ou le Micron 4600 Gen5.
G9 QLC : densité maximale, sans sacrifier le débit
Traditionnellement vue comme moins performante, la QLC version G9 change la donne.
Grâce à la même structure six plans et au débit de 3,6 Go/s, elle rivalise désormais avec des SSD TLC milieu de gamme — avec une densité bien supérieure (jusqu’à 245 To dans un seul SSD).
C’est la NAND choisie pour les Micron 2600 ou 6600 ION.
Innovations structurelles de la Micron G9 NAND
1. Parallélisme natif multi-planes
Avec six plans actifs simultanément, la G9 NAND traite plus de commandes concurrentes, réduisant les files d’attente, donc la latence. Cela améliore les performances même sur QLC, habituellement plus lentes.
2. Débit interne en forte hausse
Avec 3,6 Go/s par die, la G9 NAND atteint le débit interne le plus élevé jamais mesuré pour une mémoire flash NAND. C’est particulièrement crucial pour les SSD Gen5 et Gen6 qui ont besoin de saturer leur interface PCIe sans blocage.
3. Optimisation énergétique
Grâce à des circuits plus compacts et une meilleure gestion des écritures (notamment via l’Adaptive Write Technology sur la version QLC), cette NAND permet des gains énergétiques jusqu’à 67 % selon les usages (par rapport à Gen5 TLC ou HDD).
G9 NAND : une base commune pour des SSD très différents
| Produit | Type de NAND | Usage principal | Interface |
|---|---|---|---|
| Micron 4600 | G9 TLC | SSD client PCIe Gen5 | OEM pro / AI PC |
| Micron 2600 | G9 QLC | SSD client PCIe Gen4 | OEM / grand public |
| Micron 9650 | G9 TLC | SSD data center PCIe Gen6 | IA, calcul haute perf |
| Micron 7600 | G9 TLC | SSD data center Gen5 | latence optimisée |
| Micron 6600 ION | G9 QLC | SSD à très haute capacité | jusqu’à 245 To |
Conclusion : une mémoire fondation pour les années à venir
Avec la G9 NAND, Micron ne propose pas seulement une mémoire flash plus dense : il établit une nouvelle norme technique. Grâce à sa structure six plans, ses 3,6 Go/s par die et sa flexibilité TLC/QLC, elle devient le socle de SSD PCIe Gen6, de solutions AI Edge, ou de postes client à très haut débit.
Un lien naturel s’impose avec l’annonce du 29 juillet 2025, où Micron a officialisé ses nouveaux SSD G9 pour le cloud et l’IA, incluant le premier PCIe Gen 6. Et côté client, les modèles 4600 et 2600 démontrent que cette brique technologique s’intègre déjà dans les PC du futur.
