Samsung Electronics a annoncé aujourd’hui qu’il avait élargi son portefeuille de mémoire DDR5 DRAM avec le premier module de 512 Go. Celui-ci se base sur la technologie de processus High-K Metal Gate (HKMG). Cette mémoire offrira plus de deux fois les performances de la DDR4 (jusqu’à 7200 mégabits par seconde). La nouvelle DDR5 sera capable d’orchestrer les charges de travail les plus gourmandes en calcul et à bande passante élevée. Les applications seront dans le calcul intensif, l’intelligence artificielle (IA) et l’apprentissage automatique (ML), ainsi que des applications d’analyse de données.
Source : Videocardz
La DDR5 de Samsung utilisera donc la technologie HKMG. Celle-ci a été traditionnellement utilisée dans les semi-conducteurs logiques. Elle a été adoptée pour la première fois dans la mémoire GDDR6 de Samsung en 2018.
Samsung utilise aussi la technologie via silicium (TSV). La DDR5 empile ainsi huit couches de puces DRAM de 16 Go pour offrir cette capacité de 512 Go. LA TSV a été utilisée pour la première fois dans la DRAM en 2014. C’était lorsque Samsung avait introduit des modules de serveur avec des capacités allant jusqu’à 256 Go.
Samsung échantillonne actuellement différentes variantes de sa famille de produits de mémoire DDR5. L’objectif est donc d’obtenir une certification pour les produits de pointe pour accélérer l’IA / ML, l’informatique exascale, l’analyse, la mise en réseau et d’autres charges de travail gourmandes en données.
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