Intel a enfin donné le coup de sifflet « de démarrage » pour son Fab 42, situé en Arizona. Le Fab 42 a un passé historique, car Intel a commencé sa construction en 2011. Achevée en 2013, toutes les infrastructures essentielles à la fabrication de semi-conducteurs étaient présentes en 2014. À l’exception des équipements de fabrication. Vous voyez, Intel avait pour objectif que cette usine produise des wafers de 450 mm selon le procédé 14 nm. Ce sont plutôt des wafers de 300 mm habituellement dans l’industrie. Cependant, en 2014, Intel n’était pas sûr de la demande pour ses produits 14 nm – et la société prévoyait en fait de lancer le 10 nm en 2016. Bien sûr, il y a eu ensuite les retards de 10 nm. Les problèmes d’approvisionnement en 14 nm et le transfert de produits vers d’autres procédés moins avancés.
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Intel face à l’évolution des finesses de gravure
Puis vint l’annonce de la décision de passer en 7 nm en 2017. Intel a donc investi 7 milliards de dollars pour équiper le Fab 42 d’un équipement de fabrication 7 nm. Mais, bien sûr, les 10 nm ont continué à glisser, et avec eux, les 7 nm aussi. Face à la demande de puces, Intel s’est surement posé la question de poursuivre la fabrication en interne. Fab 42 a été conçu pour la fabrication en 10 nm, en cherchant à augmenter sa capacité de production. Justement pour répondre à la demande de l’actuel processus d’Intel.
Cela fait de Fab 42 la troisième usine opérationnelle d’Intel avec une production en 10 nm. Avec ses usines en Israël et en Oregon. Il n’est pas certain que la Fab 42 d’Intel puisse se moderniser facilement en vue d’une production à 7 nm. En effet, comme l’annonce Intel, la Fab 42 reçoit les technologies de fabrication DUV (Deep UltraViolet) et EUV (Extreme UltraViolet). Alors que la technologie 10 nm actuelle n’est possible qu’avec la technologie EUV. La fabrique pourra bien sûr être mise à niveau vers des technologies de fabrication plus récentes. Il reste à voir si cela sera facile pour l’entreprise.
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