Intel a récemment mis à jour les informations sur son procédé de gravure Intel 18A, soulignant qu’il est désormais prêt pour les projets clients et que les premières productions en série débuteront au premier semestre 2025. Cette annonce s’inscrit dans la continuité des détails dévoilés lors de l’ISSCC 2025, où Intel a mis en avant les améliorations de densité de son SRAM, passant de 0,03 µm² avec Intel 3 à 0,023 µm² avec Intel 18A.
L’optimisation de la technologie High-Density Cell (HDC) permet également une réduction à 0,021 µm², se rapprochant des performances des processus avancés de TSMC, notamment N5 (0,021 µm²), N3B (0,0199 µm²) et N2 (0,0175 µm²).
Intel 18A affiche une amélioration notable
D’après Intel, ce procédé représente une avancée majeure dans le développement de ses semi-conducteurs. Outre les gains de densité, Intel 18A affiche une amélioration de 15 % des performances par watt et une augmentation de 30 % de la densité des transistors par rapport à l’Intel 3, utilisé notamment pour les processeurs Xeon 6.
L’intégration des transistors GAA et de la technologie PowerVia pour l’alimentation par l’arrière permet de mieux gérer les pertes de tension et de réduire les interférences, optimisant ainsi l’efficacité énergétique et les performances globales.
Les premières puces à adopter ce procédé incluent les processeurs Panther Lake pour PC équipés d’IA et Clearwater Forest destinés aux serveurs. Par ailleurs, Intel a déjà sécurisé plusieurs clients pour sa fonderie, notamment Amazon AWS et Microsoft Azure, qui bénéficieront de puces sur mesure gravées en Intel 18A. Broadcom explore également cette technologie pour ses futurs designs, renforçant ainsi l’ambition d’Intel de s’imposer sur le marché des semi-conducteurs face à TSMC et Samsung Foundry.
